B2M040120R
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 41A; Idm: 123A; 238W
Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR
Referência do Fabricante:
B2M040120R
Símbolo TME:
B2M040120R
Especificação
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 41A | |
Corrente de dreno em impulso | 123A | |
Potência dissipada | 238W | |
Caixa | TO263-7 | |
Tensão descarga-fonte | -4...18V | |
Resistência no estado de condução | 40mΩ | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 90nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | derivação Kelvin |
Peso bruto1 g
Certificados
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Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N SMD BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M040120RQuantidade de unidades (Multiplicidade: 800)
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Preço líquido para as quantidades de 800 itens - 2.11 USDPreço bruto para as quantidades de 800 itens - 2.11 USD