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B2M040120Z

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 51A; Idm: 128A; 348W

Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
B2M040120Z
Símbolo TME:
B2M040120Z

Especificação

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
51A
Corrente de dreno em impulso
128A
Potência dissipada
348W
Caixa
TO247-4
Tensão descarga-fonte
-4...18V
Resistência no estado de condução
40mΩ
Montagem
THT
Carga da porta
90nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Propriedades de dispositivos semicondutores
derivação Kelvin
Peso bruto1 g
Certificados

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca

Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
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B2M040120Z
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 3.87 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 3.87 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 3.48 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 3.48 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 3.07 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 3.07 USD
Preço líquido para as quantidades de 120 itens - 2.76 USDPreço bruto para as quantidades de 120 itens - 2.76 USD
Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 2.58 USDPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 2.58 USD
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