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B2M065120H

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W

Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
B2M065120H
Símbolo TME:
B2M065120H

Especificação

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
33A
Corrente de dreno em impulso
85A
Potência dissipada
250W
Caixa
TO247-3
Tensão descarga-fonte
-4...18V
Resistência no estado de condução
65mΩ
Montagem
THT
Carga da porta
60nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto6.273 g
Certificados

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca

Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
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B2M065120H
58 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 11.40 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 11.40 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 10.31 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 10.31 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 9.13 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 9.13 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 8.20 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 8.20 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Método de embalagem do fabricanteTubo = 30 itens