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B2M065120R

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 24A; Idm: 85A; 150W

Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
B2M065120R
Símbolo TME:
B2M065120R

Especificação

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
24A
Corrente de dreno em impulso
85A
Potência dissipada
150W
Caixa
TO263-7
Tensão descarga-fonte
-4...18V
Resistência no estado de condução
65mΩ
Montagem
SMD
Carga da porta
60nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Propriedades de dispositivos semicondutores
derivação Kelvin
Peso bruto1.44 g
Certificados

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca

Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N SMD BASiC SEMICONDUCTOR,
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B2M065120R
50 em stock na TME
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Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 12.11 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 12.11 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 10.71 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 10.71 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 9.57 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 9.57 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Método de embalagem do fabricanteTubo = 50 itens