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B2M160120H

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 16A; Idm: 39A; 123W

Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
B2M160120H
Símbolo TME:
B2M160120H

Especificação

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
16A
Corrente de dreno em impulso
39A
Potência dissipada
123W
Caixa
TO247-3
Tensão descarga-fonte
-4...18V
Resistência no estado de condução
0,16Ω
Montagem
THT
Carga da porta
26nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto1 g
Certificados

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca

Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
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B2M160120H
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Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 1.48 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 1.48 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 1.30 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 1.30 USD
Preço líquido para as quantidades de 120 itens - 1.17 USDPreço bruto para as quantidades de 120 itens - 1.17 USD
Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 1.09 USDPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 1.09 USD
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