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Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 16A | |
Corrente de dreno em impulso | 39A | |
Potência dissipada | 123W | |
Caixa | TO247-3 | |
Tensão descarga-fonte | -4...18V | |
Resistência no estado de condução | 0,16Ω | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 26nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Espécie de canal | enriquecido |