B3M013C120Z
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 127A; Idm: 360A; 750W
Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR
Referência do Fabricante:
B3M013C120Z
Símbolo TME:
B3M013C120Z
Especificação
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 127A | |
Corrente de dreno em impulso | 360A | |
Potência dissipada | 750W | |
Caixa | TO247-4 | |
Tensão descarga-fonte | -5...18V | |
Resistência no estado de condução | 13,5mΩ | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 225nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | derivação Kelvin |
Peso bruto1 g
Certificados
A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B3M013C120ZQuantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 4.21 USDPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 4.21 USD