B3M040120R
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 44A; Idm: 108A; 300W
Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR
Referência do Fabricante:
B3M040120R
Símbolo TME:
B3M040120R
Especificação
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 44A | |
Corrente de dreno em impulso | 108A | |
Potência dissipada | 300W | |
Caixa | TO263-7 | |
Tensão descarga-fonte | -5...18V | |
Resistência no estado de condução | 40mΩ | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 87nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | derivação Kelvin |
Peso bruto1 g
Certificados
A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N SMD BASiC SEMICONDUCTOR,
* B3M040120RQuantidade de unidades (Multiplicidade: 800)
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 800 itens - 1.57 USDPreço bruto para as quantidades de 800 itens - 1.57 USD