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Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transístor | IGBT | |
Tecnologia | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Tensão coletor-emissor | 650V | |
Corrente do coletor | 50A | |
Potência dissipada | 357W | |
Caixa | TO247-3 | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 200A | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 308nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Tempo de ligação | 54ns | |
Tempo de desligar | 256ns | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | integrated anti-parallel diode |