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Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo de transístor | IGBT | ||
Tecnologia | Field Stop, SiC SBD, Trench | ||
Tensão coletor-emissor | 650V | ||
Corrente do coletor | 50A | ||
Potência dissipada | 357W | ||
Caixa | TO247-3 | ||
Tensão porta - emissor | ±20V | ||
Corrente do coletor no impulso | 200A | ||
Montagem | THT | ||
Carga da porta | 308nC | ||
Espécie de embalagem | tubo | ||
Tempo de ligação | 54ns | ||
Tempo de desligar | 256ns | ||
Propriedades de dispositivos semicondutores | integrated anti-parallel diode |