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BGH50N65HS1

Transístor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3

Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
BGH50N65HS1
Símbolo TME:
BGH50N65HS1

Especificação

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
IGBT
Tecnologia
Field Stop, SiC SBD, Trench
Tensão coletor-emissor
650V
Corrente do coletor
50A
Potência dissipada
357W
Caixa
TO247-3
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
200A
Montagem
THT
Carga da porta
308nC
Espécie de embalagem
tubo
Tempo de ligação
54ns
Tempo de desligar
256ns
Propriedades de dispositivos semicondutores
integrated anti-parallel diode
Peso bruto6.26 g
Certificados

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca

Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores IGBT THT BASiC SEMICONDUCTOR,
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BGH50N65HS1
34 em stock na TME
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Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 9.74 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 9.74 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 8.60 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 8.60 USD
Preço líquido para as quantidades de 150 itens - 7.21 USDPreço bruto para as quantidades de 150 itens - 7.21 USD
Preço líquido para as quantidades de 600 itens - 6.96 USDPreço bruto para as quantidades de 600 itens - 6.96 USD
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