DACMI160N1200
Módulo; transístor individual; 1,2kV; 110A; SOT227B; roscado; 580W
Fabricante: DACO Semiconductor
Referência do Fabricante:
DACMI160N1200
Símbolo TME:
DACMI160N1200-DCO
Especificação
Fabricante | DACO Semiconductor | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 110A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 20mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 400A | |
Potência dissipada | 580W | |
Tecnologia | SiC | |
Tensão descarga-fonte | -5...20V | |
Temperatura de trabalho | -55...150°C | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto40 g
Certificados
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* DACMI160N1200Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 78.13 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 78.13 USD
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