DACMI200N1200
Módulo; transístor individual; 1,2kV; 125A; SOT227B; roscado; 980W
Fabricante: DACO Semiconductor
Referência do Fabricante:
DACMI200N1200
Símbolo TME:
DACMI200N1200-DCO
Especificação
Fabricante | DACO Semiconductor | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 125A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 15mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 500A | |
Potência dissipada | 980W | |
Tecnologia | SiC | |
Tensão descarga-fonte | -10...20V | |
Temperatura de trabalho | -55...150°C | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto174.28 g
Certificados
A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules DACO Semiconductor,
* DACMI200N1200Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
6 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 182.81 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 182.81 USD
O produto está disponível até ao final de stock
Método de embalagem do fabricantePapelão = 5 itens