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DHG50X1200NA

Módulo: do díodo; dupla independente; 1,2kV; If: 25Ax2; SOT227B


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
DHG50X1200NA
Símbolo TME:
DHG50X1200NA

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
do díodo
Estrutura do semicondutor
dupla independente
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente de condução
25A x2
Caixa
SOT227B
Tensão de condução máxima
2,88V
Corrente no impulso max.
200A
Montagem elétrica
roscado
Corrente de condução máx
50A
Montagem mecânica
roscado
Espécie de embalagem
tubo
Tecnologia
Sonic FRD™
Peso bruto35.58 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos de diodos IXYS,
*
DHG50X1200NA
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Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 23.99 USDPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 23.99 USD
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Multiplicidade: 100.
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