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FDB3632

Transístor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK

Documentação EN
Família de produtos

Fabricante: ONSEMI

Referência do Fabricante:
FDB3632
Símbolo TME:
FDB3632

Especificação

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
PowerTrench®
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
100V
Corrente de dreno
80A
Potência dissipada
310W
Caixa
D2PAK
Tensão descarga-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
22mΩ
Montagem
SMD
Carga da porta
110nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto1.69 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N SMD ONSEMI,
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FDB3632
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Preço líquido para as quantidades de 800 itens - 2.09 USDPreço bruto para as quantidades de 800 itens - 2.09 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 800)
Quantidade mínima a encomendar: 800.
Multiplicidade: 800.
Método de embalagem do fabricanteRolo = 800 itens