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FDB8896

Transístor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 80W; D2PAK


Fabricante: ONSEMI

Referência do Fabricante:
FDB8896
Símbolo TME:
FDB8896

Especificação

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transístor
N-MOSFET
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
30V
Corrente de dreno
80A
Potência dissipada
80W
Caixa
D2PAK
Tensão descarga-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
9,4mΩ
Montagem
SMD
Carga da porta
67nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto1.5 g
Certificados

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