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Fabricante: ONSEMI
Fabricante | ONSEMI | |
Tipo de transístor | P-MOSFET x2 | |
Tecnologia | PowerTrench® | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | -30V | |
Corrente de dreno | -1,8A | |
Potência dissipada | 0,96W | |
Caixa | SuperSOT-6 | |
Tensão descarga-fonte | ±20V | |
Resistência no estado de condução | 0,28Ω | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 3,5nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido |