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Fabricante: ONSEMI
Fabricante | ONSEMI | |
Tipo de transístor | N-MOSFET x2 | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 30V | |
Corrente de dreno | 2,9A | |
Corrente de dreno em impulso | 10A | |
Potência dissipada | 1,5W | |
Caixa | MicroFET | |
Tensão descarga-fonte | ±12V | |
Resistência no estado de condução | 268mΩ | |
Montagem | SMD | |
Carga da porta | 3nC | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Versão | ESD |