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FDMS10C4D2N

Transístor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56


Fabricante: ONSEMI

Referência do Fabricante:
FDMS10C4D2N
Símbolo TME:
FDMS10C4D2N

Especificação

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
PowerTrench®
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
100V
Corrente de dreno
48A
Corrente de dreno em impulso
510A
Potência dissipada
125W
Caixa
Power56
Tensão descarga-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
9mΩ
Montagem
SMD
Carga da porta
65nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados

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Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 2.06 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 2.06 USD
Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 1.84 USDPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 1.84 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.