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Fabricante	ONSEMI
Tipo de transístor	N-MOSFET
Polarização	unipolar
Tensão dreno-fonte	150V
Corrente de dreno	62A
Corrente de dreno em impulso	271A
Potência dissipada	113W
Caixa	PQFN8
Tensão descarga-fonte	±20V
Resistência no estado de condução	12,4mΩ
Montagem	SMD
Carga da porta	45nC
Espécie de embalagem	fita, rolo
Espécie de canal	enriquecido

FDMS86255

Transístor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 271A; 113W; PQFN8

Especificação