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Fabricante	INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de módulo semicondutor	IGBT
Estrutura do semicondutor	emissor comum, transístor/transístor
Topologia	IGBT x3
Tensão máxima inversa	3,3kV
Corrente do coletor	2kA
Caixa	AG-IHVB190-3
Montagem elétrica	roscado
Tensão porta - emissor	±20V
Corrente do coletor no impulso	4kA
Tecnologia	TRENCHSTOP™
Montagem mecânica	roscado

FZ2000R33HE4BOSA1

Módulo: IGBT; transístor/transístor,emissor comum; IGBT x3

Especificação