FZ825R33HE4DBPSA1
Módulo: IGBT; transístor/transístor,emissor comum; IGBT x2
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Referência do Fabricante:
FZ825R33HE4DBPSA1
Símbolo TME:
FZ825R33HE4DBPSA1
Especificação
Fabricante | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | emissor comum, transístor/transístor | |
Topologia | IGBT x2 | |
Tensão máxima inversa | 3,3kV | |
Corrente do coletor | 825A | |
Caixa | AG-IHVB130 | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 1,65kA | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto25 g
Certificados
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* FZ825R33HE4DBPSA1Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 1 908.00 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 1 908.00 USD
Preço líquido para as quantidades de 2 itens - 1 767.54 USDPreço bruto para as quantidades de 2 itens - 1 767.54 USD