G3R20MT12N
Módulo; transístor individual; 1,2kV; 74A; SOT227B; roscado; 365W
Fabricante: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Referência do Fabricante:
G3R20MT12N
Símbolo TME:
G3R20MT12N
Especificação
Fabricante | GeneSiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | transístor individual | ||
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | ||
Corrente de dreno | 74A | ||
Caixa | SOT227B | ||
Montagem elétrica | roscado | ||
Polarização | unipolar | ||
Resistência no estado de condução | 20mΩ | ||
Corrente de dreno em impulso | 240A | ||
Potência dissipada | 365W | ||
Tecnologia | G3R™, SiC | ||
Espécie de canal | enriquecido | ||
Tensão descarga-fonte | -5...15V | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto35.39 g
Certificados
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* G3R20MT12NQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
105 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 54.58 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 54.58 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 52.44 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 52.44 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 51.45 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 51.45 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens