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GD100HHU120C6S

Módulo: IGBT; transístor/transístor; ponte H; Urmax: 1200V

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD100HHU120C6S
Símbolo TME:
GD100HHU120C6S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Topologia
ponte H
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
100A
Caixa
C6 62mm
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
200A
Tecnologia
NPT Ultra Fast IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto300 g
Certificados
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GD100HHU120C6S
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