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GD100SGY120D6S

Módulo: IGBT; transístor individual; transístor individual; D6

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD100SGY120D6S
Símbolo TME:
GD100SGY120D6S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Topologia
transístor individual
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
100A
Caixa
D6
Montagem elétrica
roscado
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
200A
Tecnologia
Advanced Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto24 g
Certificados
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GD100SGY120D6S
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Multiplicidade: 1.