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GD10PJY120F1S

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1

Família de produtos

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD10PJY120F1S
Símbolo TME:
GD10PJY120F1S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper, retificador 3-fásico, Saída OE da ponte IGBT trifásica, termístor NTC
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
10A
Caixa
F1.1
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
20A
Tecnologia
Advanced Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto26 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
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GD10PJY120F1S
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Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 28.36 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 28.36 USD
Preço líquido para as quantidades de 25 itens - 26.49 USDPreço bruto para as quantidades de 25 itens - 26.49 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.