+1 500 000 produtos na nossa oferta

7000 encomendas enviadas diariamente

+300 000 clientes de 150 países

QuickBuy Favoritos
Carrinho

Vimos por este meio informar de que somente aceitamos encomendas de clientes empresariais.

GD10PJY120L2S

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2

Família de produtos

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD10PJY120L2S
Símbolo TME:
GD10PJY120L2S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper, retificador 3-fásico, Saída OE da ponte IGBT trifásica, termístor NTC
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
10A
Caixa
L2.2
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
20A
Tecnologia
Advanced Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto24 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD10PJY120L2S
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 32.07 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 32.07 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 28.37 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 28.37 USD
Preço líquido para as quantidades de 12 itens - 25.48 USDPreço bruto para as quantidades de 12 itens - 25.48 USD
Preço líquido para as quantidades de 24 itens - 23.74 USDPreço bruto para as quantidades de 24 itens - 23.74 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.