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Fabricante	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor	IGBT
Estrutura do semicondutor	transístor/transístor
Topologia	meia ponte IGBT
Tensão máxima inversa	1,2kV
Corrente do coletor	1,2kA
Caixa	C3 130mm
Montagem elétrica	roscado
Tensão porta - emissor	±20V
Corrente do coletor no impulso	2,4kA
Tecnologia	Advanced Trench FS IGBT
Montagem mecânica	roscado

GD1200HFY120C3S

Módulo: IGBT; transístor/transístor; meia ponte IGBT; Ic: 1200A

Especificação