+1 500 000 produtos na nossa oferta

7000 encomendas enviadas diariamente

+300 000 clientes de 150 países

QuickBuy Favoritos
Carrinho

Vimos por este meio informar de que somente aceitamos encomendas de clientes empresariais.

GD1400HFX170P2S

Módulo: IGBT; transístor/transístor; meia ponte IGBT; Ic: 1400A

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD1400HFX170P2S
Símbolo TME:
GD1400HFX170P2S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Topologia
meia ponte IGBT
Tensão máxima inversa
1,7kV
Corrente do coletor
1,4kA
Caixa
P2.0
Montagem elétrica
roscado
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
2,8kA
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto1.21 kg
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD1400HFX170P2S
0 em stock na TME
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 8)
Produto para encomenda especial