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GD150MLX65L3S

Módulo: IGBT; díodo/transístor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; roscado

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD150MLX65L3S
Símbolo TME:
GD150MLX65L3S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
inversor de três níveis monofásico, termístor NTC
Tensão máxima inversa
650V
Corrente do coletor
150A
Caixa
L3.1
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
300A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto39 g
Certificados
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GD150MLX65L3S
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