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GD15PJX65F1S

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A

Família de produtos

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD15PJX65F1S
Símbolo TME:
GD15PJX65F1S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper, retificador 3-fásico, Saída OE da ponte IGBT trifásica, termístor NTC
Tensão máxima inversa
650V
Corrente do coletor
15A
Caixa
F1.1
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
30A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto26 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD15PJX65F1S
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 39.10 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 39.10 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 34.54 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 34.54 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 31.02 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 31.02 USD
Preço líquido para as quantidades de 25 itens - 29.03 USDPreço bruto para as quantidades de 25 itens - 29.03 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)