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GD15PJX65L2S

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A

Família de produtos

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD15PJX65L2S
Símbolo TME:
GD15PJX65L2S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper, retificador 3-fásico, Saída OE da ponte IGBT trifásica, termístor NTC
Tensão máxima inversa
650V
Corrente do coletor
15A
Caixa
L2.2
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
30A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto24 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD15PJX65L2S
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 32.43 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 32.43 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 28.57 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 28.57 USD
Preço líquido para as quantidades de 12 itens - 25.76 USDPreço bruto para as quantidades de 12 itens - 25.76 USD
Preço líquido para as quantidades de 24 itens - 24.00 USDPreço bruto para as quantidades de 24 itens - 24.00 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)