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GD15PJY120F4S

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1

Família de produtos

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD15PJY120F4S
Símbolo TME:
GD15PJY120F4S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper, retificador 3-fásico, Saída OE da ponte IGBT trifásica, termístor NTC
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
15A
Caixa
F4.1
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
30A
Tecnologia
Advanced Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto28 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
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GD15PJY120F4S
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 43.43 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 43.43 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 38.40 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 38.40 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 34.42 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 34.42 USD
Preço líquido para as quantidades de 25 itens - 32.20 USDPreço bruto para as quantidades de 25 itens - 32.20 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)