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GD15PJY120L2S

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2

Família de produtos

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD15PJY120L2S
Símbolo TME:
GD15PJY120L2S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper, retificador 3-fásico, Saída OE da ponte IGBT trifásica, termístor NTC
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
15A
Caixa
L2.2
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
30A
Tecnologia
Advanced Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto24.34 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
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GD15PJY120L2S
16 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 37.63 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 37.63 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 33.32 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 33.32 USD
Preço líquido para as quantidades de 12 itens - 29.94 USDPreço bruto para as quantidades de 12 itens - 29.94 USD
Preço líquido para as quantidades de 24 itens - 27.85 USDPreço bruto para as quantidades de 24 itens - 27.85 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Método de embalagem do fabricanteBandeja = 24 itens