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GD200HFU120C2S

Módulo: IGBT; transístor/transístor; meia ponte IGBT; Ic: 200A

Família de produtos

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD200HFU120C2S
Símbolo TME:
GD200HFU120C2S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Topologia
meia ponte IGBT
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
200A
Caixa
C2 62mm
Montagem elétrica
FASTON conectores, roscado
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
400A
Tecnologia
NPT Ultra Fast IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto300 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
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GD200HFU120C2S
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Preço líquido para as quantidades de 12 itens - 104.89 USDPreço bruto para as quantidades de 12 itens - 104.89 USD
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