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GD200HFX65C8S

Módulo: IGBT; transístor/transístor; meia ponte IGBT; Urmax: 650V

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD200HFX65C8S
Símbolo TME:
GD200HFX65C8S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Topologia
meia ponte IGBT
Tensão máxima inversa
650V
Corrente do coletor
200A
Caixa
C8 48mm
Montagem elétrica
FASTON conectores, roscado
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
400A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto200 g
Certificados
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GD200HFX65C8S
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