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GD2400SGY120C3S

Módulo: IGBT; transístor/transístor,porta comum; Urmax: 1200V


Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD2400SGY120C3S
Símbolo TME:
GD2400SGY120C3S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
porta comum, transístor/transístor
Topologia
transístor individual
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
2,4kA
Caixa
C3 130mm
Montagem elétrica
roscado
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
4,8kA
Tecnologia
Advanced Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto1.5 kg
Certificados
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GD2400SGY120C3S
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Multiplicidade: 8.