+1 500 000 produtos na nossa oferta

7000 encomendas enviadas diariamente

+300 000 clientes de 150 países

QuickBuy Favoritos
Carrinho

Vimos por este meio informar de que somente aceitamos encomendas de clientes empresariais.

GD25PJY120L3S

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0


Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD25PJY120L3S
Símbolo TME:
GD25PJY120L3S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper, retificador 3-fásico, Saída OE da ponte IGBT trifásica, termístor NTC
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
25A
Caixa
L3.0
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
50A
Tecnologia
Advanced Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto39 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD25PJY120L3S
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 11 itens - 41.46 USDPreço bruto para as quantidades de 11 itens - 41.46 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 11)
Quantidade mínima a encomendar: 11.
Multiplicidade: 11.