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GD35PJY120F2S

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD35PJY120F2S
Símbolo TME:
GD35PJY120F2S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper, retificador 3-fásico, Saída OE da ponte IGBT trifásica, termístor NTC
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
35A
Caixa
F2.0
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
70A
Tecnologia
Advanced Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto42 g
Certificados
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GD35PJY120F2S
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Preço líquido para as quantidades de 25 itens - 43.96 USDPreço bruto para as quantidades de 25 itens - 43.96 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 25)