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GD35PJY120L3S

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0

Família de produtos

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD35PJY120L3S
Símbolo TME:
GD35PJY120L3S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper, retificador 3-fásico, Saída OE da ponte IGBT trifásica, termístor NTC
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
35A
Caixa
L3.0
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
70A
Tecnologia
Advanced Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto43.57 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
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GD35PJY120L3S
10 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 58.60 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 58.60 USD
Preço líquido para as quantidades de 4 itens - 51.72 USDPreço bruto para as quantidades de 4 itens - 51.72 USD
Preço líquido para as quantidades de 16 itens - 46.48 USDPreço bruto para as quantidades de 16 itens - 46.48 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Método de embalagem do fabricanteBandeja = 16 itens