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GD50FSX65L2S

Módulo: IGBT; transístor/transístor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1

Família de produtos

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD50FSX65L2S
Símbolo TME:
GD50FSX65L2S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Topologia
Saída OE da ponte IGBT trifásica, termístor NTC
Tensão máxima inversa
650V
Corrente do coletor
50A
Caixa
L2.1
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
100A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto24 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
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GD50FSX65L2S
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 41.15 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 41.15 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 36.32 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 36.32 USD
Preço líquido para as quantidades de 12 itens - 32.72 USDPreço bruto para as quantidades de 12 itens - 32.72 USD
Preço líquido para as quantidades de 24 itens - 30.47 USDPreço bruto para as quantidades de 24 itens - 30.47 USD