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GD50HFX65C1S

Módulo: IGBT; transístor/transístor; meia ponte IGBT; Urmax: 650V

Família de produtos

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD50HFX65C1S
Símbolo TME:
GD50HFX65C1S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Topologia
meia ponte IGBT
Tensão máxima inversa
650V
Corrente do coletor
50A
Caixa
C1 34mm
Montagem elétrica
FASTON conectores, roscado
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
100A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto150 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
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GD50HFX65C1S
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 44.69 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 44.69 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 39.58 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 39.58 USD
Preço líquido para as quantidades de 12 itens - 35.52 USDPreço bruto para as quantidades de 12 itens - 35.52 USD
Preço líquido para as quantidades de 24 itens - 33.08 USDPreço bruto para as quantidades de 24 itens - 33.08 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)