+1 500 000 produtos na nossa oferta

7000 encomendas enviadas diariamente

+300 000 clientes de 150 países

QuickBuy Favoritos
Carrinho

Vimos por este meio informar de que somente aceitamos encomendas de clientes empresariais.

GD50PJX65L3S

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD50PJX65L3S
Símbolo TME:
GD50PJX65L3S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper, retificador 3-fásico, Saída OE da ponte IGBT trifásica, termístor NTC
Tensão máxima inversa
650V
Corrente do coletor
50A
Caixa
L3.0
Montagem elétrica
Press-in PCB
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
100A
Tecnologia
Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto39 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD50PJX65L3S
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 62.16 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 62.16 USD
Preço líquido para as quantidades de 4 itens - 55.02 USDPreço bruto para as quantidades de 4 itens - 55.02 USD
Preço líquido para as quantidades de 16 itens - 49.40 USDPreço bruto para as quantidades de 16 itens - 49.40 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)