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GD75HFY120C1S

Módulo: IGBT; transístor/transístor; meia ponte IGBT; Ic: 75A

Família de produtos

Fabricante: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
GD75HFY120C1S
Símbolo TME:
GD75HFY120C1S

Especificação

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor/transístor
Topologia
meia ponte IGBT
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
75A
Caixa
C1 34mm
Montagem elétrica
FASTON conectores, roscado
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
150A
Tecnologia
Advanced Trench FS IGBT
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto150 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD75HFY120C1S
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Preço líquido para as quantidades de 12 itens - 39.81 USDPreço bruto para as quantidades de 12 itens - 39.81 USD
Preço líquido para as quantidades de 24 itens - 37.12 USDPreço bruto para as quantidades de 24 itens - 37.12 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.