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HP8M51TB1

Transístor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4,5/-4,5A; Idm: 18A


Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
HP8M51TB1
Símbolo TME:
HP8M51TB1

Especificação

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N/P-MOSFET
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
100/-100V
Corrente de dreno
4,5/-4,5A
Corrente de dreno em impulso
18A
Potência dissipada
7W
Caixa
HSOP8
Tensão descarga-fonte
±20V
Resistência no estado de condução
180/320mΩ
Montagem
SMD
Carga da porta
15/26,2nC
Espécie de embalagem
fita, rolo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados

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