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Fabricante	INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transístor	N-MOSFET x2
Tecnologia	HEXFET®
Polarização	unipolar
Tensão dreno-fonte	20V
Corrente de dreno	3,5A
Potência dissipada	2W
Caixa	SO8
Montagem	SMD
Espécie de embalagem	rolo
Espécie de canal	enriquecido

IRF7101TRPBF

Transístor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3,5A; 2W; SO8

Especificação