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Fabricante	INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transístor	N/P-MOSFET
Tecnologia	HEXFET®
Polarização	unipolar
Tensão dreno-fonte	30/-30V
Corrente de dreno	5,8/-4,3A
Potência dissipada	2,5W
Caixa	SO8
Tensão descarga-fonte	±20V
Resistência no estado de condução	45/90mΩ
Montagem	SMD
Espécie de embalagem	rolo
Espécie de canal	enriquecido

IRF7379TRPBF

Transístor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5,8/-4,3A; 2,5W; SO8

Especificação