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IXA30RG1200DHGLB

Módulo: IGBT; díodo/transístor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; SMT

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXA30RG1200DHGLB
Símbolo TME:
IXA30RG1200DHGLB

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
díodo/transístor
Topologia
boost chopper
Tensão máxima inversa
1,2kV
Corrente do coletor
30A
Caixa
SMPD-B
Montagem elétrica
SMT
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
75A
Potência dissipada
147W
Tecnologia
ISOPLUS™, Sonic FRD™
Peso bruto7.95 g
Certificados
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IXA30RG1200DHGLB
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