IXBN42N170A
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXBN42N170A
Símbolo TME:
IXBN42N170A
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,7kV | |
Corrente do coletor | 21A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 265A | |
Potência dissipada | 313W | |
Tecnologia | BiMOSFET™ | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | de alta tensão | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto36.86 g
Certificados
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* IXBN42N170AQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
4 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 43.64 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 43.64 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 39.23 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 39.23 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 36.56 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 36.56 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens