IXBN75N170
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXBN75N170
Símbolo TME:
IXBN75N170
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,7kV | |
Corrente do coletor | 75A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 680A | |
Potência dissipada | 625W | |
Tecnologia | BiMOSFET™ | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | de alta tensão | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.09 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT IXYS,
* IXBN75N170Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
1 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 113.82 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 113.82 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 102.27 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 102.27 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 95.45 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 95.45 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens