IXBN75N170A
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 42A; SOT227B
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXBN75N170A
Símbolo TME:
IXBN75N170A
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,7kV | |
Corrente do coletor | 42A | |
Caixa | SOT227B | |
Aplicação | motores, para UPS | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 100A | |
Potência dissipada | 500W | |
Tecnologia | BiMOSFET™ | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.12 g
Certificados
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* IXBN75N170A
Método de embalagem do fabricante:Tubo = 10 itens