IXDN55N120D1
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A; SOT227B
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXDN55N120D1
Símbolo TME:
IXDN55N120D1
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente do coletor | 62A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 124A | |
Potência dissipada | 450W | |
Tecnologia | NPT | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | de alta tensão | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
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