IXDN75N120
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A; 660W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXDN75N120
Símbolo TME:
IXDN75N120
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente do coletor | 150A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 190A | |
Potência dissipada | 660W | |
Tecnologia | NPT | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto34.72 g
Certificados
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* IXDN75N120Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 39.56 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 39.56 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens